Data publikacji : 2022-09-01

Osadzanie cienkich warstw zawierających krzemionkę na poliwęglanach metodą impulsowego wyładowania z barierą dielektryka

Abstrakt

Wymienioną w tytule cienką warstwę osadzano z mieszaniny gazowej helu, tlenu i tetraetoksysilanu (TEOS) (tabela 1) w aparaturze przedstawionej schematycznie na rys. 1-3. Proces prowadzono pod ciśnieniem atmosferycznym bez podgrzewania podłoża poliwęglanowego (PC) w postaci płytek. Zbadano wpływ parametrów procesu, mianowicie sposobu ułożenia płytek PC w reaktorze (rys. 7, 9 i 10), składu gazu plazmotwórczego (rys. 8) oraz natężenia prądu w pojedynczym impulsie wyładowania na szybkość osadzania. Szybkość ta rosła od 3,4 do 40,8 nm/min wraz ze wzrostem natężenia prądu w pojedynczym impulsie od 50 do 100 A. Stwierdzono, że w procesie tworzenia cienkiej warstwy konieczna jest obecność tlenu w gazach plazmotwórczych, przy czym nadmiar tlenu powoduje zmniejszenie szybkości osadzania z 14,9 do 6,0 nm/min gdy stężenie tlenu wzrasta od 5 do 20 % obj. (tabela 2). Budowę chemiczną oraz morfologię osadzonych warstw scharakteryzowano metodami FT-IR (rys. 4), AFM (mikroskopia siła atomowych, rys. 5) oraz SEM (rys. 6). Cienka warstwa składała się z następujących pierwiastków: Si, C, O oraz H i charakteryzowała się gładkością, a także przezroczystością.


Szczegóły

Bibliografia

Wskaźniki

Autorzy

Pobierz pliki

PDF (English)

Opalińska, T., Ulejczyk, B., Karpiński, L., & Schmidt-Szałowski, K. (2022). Osadzanie cienkich warstw zawierających krzemionkę na poliwęglanach metodą impulsowego wyładowania z barierą dielektryka. Polimery, 49(4), 257-263. Pobrano z http://ichp.vot.pl/index.php/p/article/view/1748