Czub I’., Bończa-Tomaszewski Z.. Penczek P., Pielichowski„Chemia i technologia żywic epoksydo-wych", wyd. IV, WNT, Warszawa 2002.
2. Sinnadurai N.: Microelectwn. Retuib. 1996,36,1001.
3. Pielichowski J., Puszyński A.: „Technologia tworzyw sztucznych", wyd. V, WNT, Warszawa 1998.
4. Ellis B.: „Chemistry and Technology of Epoxy Resins", Chapman & Hall, Londyn 1994.
5. Lin C. H., Huang J. M„ Wang C. S,: Polymer 2002,43, 2959.
6. Rozdział P. „Tworzywa sztuczne w elektronice", WNT, Warszawa 1970.
7. Yoda N.: Polym. Adv. Tech i. 1997,8,215.
8. Liebert S.: Microclectron. Reliab. 2002,42,1939.
9. Fabrycy E., Królikowski W., Fidel G.: Polimery 1986, 31, 148.
10. Herard L.: Microelectron. Eng. 1999,49,17.
11. Lantz L„ Hwang S., Pecht .VI.: Microelectron, Reliab. 2002,42,1163.
12. Ho T. H„ Wang C. S.: J. Appl. Polym. Set 1994, 51, 2047.
13. Ho T. H„ Wang C. S.: Polymer 1996,37, 2733.
14. Shieh J. Y, Ho T. H, Wang C. S.: Angeut. Makromol. Chem. 1995,224,21.
15. Ho T. H„ Wang C. S.: Europ. Polym. J. 2001,37,267.
16. Pol. USA 6 194 491 (2000.
17. Pat. USA 5 364 893 (1994).
18. Rodriguez M. P., Shammas N. Y. A.: Microelectron Reliab. 2001,41,517.
19. Amagi M.: Finite Elements in Analysis and Design 1998,30,97.
20. Tai H. J., Chou H. L: Ear. Polym. J. 2000,36,2213.
21. Barrett 1.: Microelectron. Reliab, 1998, 38,1277.
22. Matsumoto A., Hasegata K., Fukuda A.: Polym. hit 1993,31,275.
23. Wang C. S., Lee M. C.: Polym. Bull. 1998,40, 623.
24. Pat. europejski 0 428 871 (1998).
25. Manzione L. T., Gillham j. K., McPherson C. A.: J. Appl. Polym. Sci. 1981,26,889.
26. Pat. niemiecki 3 130 708 (1983).
27. Verchere D., Sautereau H., Pascault ]. P., Moschiar 5. M., Ricardi C. C, Williams J. J.: J, Appl. Polym. Sci. 1990,41,467.
28. Verchere D„ Pascault J. P, Sautereau H., Moschiar S. M., Ricardi C. C, Williams J. J.: J. Appl. Polym. Sci, 1991,42,701.
29. Pat. LISA 5 334 662 (1994).
30. Pat. koreański 9 511 904 (1995).
31. Meister J. J.: „Polymer Modification", Marcel Dekker, INC, Nowy Jork 2000.
32. Pat USA 5075 379 (1991).
33. Manzione L. T, Gillham J. K.: J. Appl. Polym. Sci. 1981, 26,889.
34. Pat. USA 5 919 844 (1999).
35. Ho T. H., Wang C. S.: J. Appl, Polym. Sci. 1993,53,477
36. Shieh J. Y., Ho T. H„ Wang C. S.: Angew. Makromol. Chau. 1997,245,125.
37. Lin L. L., Ho T. H., Wang C. S.: Polymer 1997,38, 1997.
38. Wang C. S„ Lee M. C.t Polym. Bull. 1998,40,623.
39. Ochi M., Yamashita K., Yoshizumi M., Shimbo .VI.: J. Appl. Polym. Sci. 1989,38,789.
40. Shiraishi T„ Motobe H., Ochi M., Nakanishi Y„ Konishi I.: Polymer 1992,33,2975.
41. Wang C. S., Berman J. R., Walker L. L., Mendoza A.: J. Appl. Polym. Sci. 1991,43,1315.
42. Pat. USA 5 360 837 (1994).
43. Pat. USA 5 298 548 (1994).
44. Pat. USA 5 567 749 (1996).
45. Pat. USA 6 358 629 (2001).
46. Zglosz. pat. USA 146 565 (2002).
47. Pat. USA 6 162 878 (2000).
48. Pat. USA 6 194491 (2001).
49. Pat. USA 6 358 629 (2002).
50. Zglosz. pat. USA 025 431 (2002).
51. Pat. USA 6 015 872 (2000).
2. Sinnadurai N.: Microelectwn. Retuib. 1996,36,1001.
3. Pielichowski J., Puszyński A.: „Technologia tworzyw sztucznych", wyd. V, WNT, Warszawa 1998.
4. Ellis B.: „Chemistry and Technology of Epoxy Resins", Chapman & Hall, Londyn 1994.
5. Lin C. H., Huang J. M„ Wang C. S,: Polymer 2002,43, 2959.
6. Rozdział P. „Tworzywa sztuczne w elektronice", WNT, Warszawa 1970.
7. Yoda N.: Polym. Adv. Tech i. 1997,8,215.
8. Liebert S.: Microclectron. Reliab. 2002,42,1939.
9. Fabrycy E., Królikowski W., Fidel G.: Polimery 1986, 31, 148.
10. Herard L.: Microelectron. Eng. 1999,49,17.
11. Lantz L„ Hwang S., Pecht .VI.: Microelectron, Reliab. 2002,42,1163.
12. Ho T. H„ Wang C. S.: J. Appl. Polym. Set 1994, 51, 2047.
13. Ho T. H„ Wang C. S.: Polymer 1996,37, 2733.
14. Shieh J. Y, Ho T. H, Wang C. S.: Angeut. Makromol. Chem. 1995,224,21.
15. Ho T. H„ Wang C. S.: Europ. Polym. J. 2001,37,267.
16. Pol. USA 6 194 491 (2000.
17. Pat. USA 5 364 893 (1994).
18. Rodriguez M. P., Shammas N. Y. A.: Microelectron Reliab. 2001,41,517.
19. Amagi M.: Finite Elements in Analysis and Design 1998,30,97.
20. Tai H. J., Chou H. L: Ear. Polym. J. 2000,36,2213.
21. Barrett 1.: Microelectron. Reliab, 1998, 38,1277.
22. Matsumoto A., Hasegata K., Fukuda A.: Polym. hit 1993,31,275.
23. Wang C. S., Lee M. C.: Polym. Bull. 1998,40, 623.
24. Pat. europejski 0 428 871 (1998).
25. Manzione L. T., Gillham j. K., McPherson C. A.: J. Appl. Polym. Sci. 1981,26,889.
26. Pat. niemiecki 3 130 708 (1983).
27. Verchere D., Sautereau H., Pascault ]. P., Moschiar 5. M., Ricardi C. C, Williams J. J.: J, Appl. Polym. Sci. 1990,41,467.
28. Verchere D„ Pascault J. P, Sautereau H., Moschiar S. M., Ricardi C. C, Williams J. J.: J. Appl. Polym. Sci, 1991,42,701.
29. Pat. LISA 5 334 662 (1994).
30. Pat. koreański 9 511 904 (1995).
31. Meister J. J.: „Polymer Modification", Marcel Dekker, INC, Nowy Jork 2000.
32. Pat USA 5075 379 (1991).
33. Manzione L. T, Gillham J. K.: J. Appl. Polym. Sci. 1981, 26,889.
34. Pat. USA 5 919 844 (1999).
35. Ho T. H., Wang C. S.: J. Appl, Polym. Sci. 1993,53,477
36. Shieh J. Y., Ho T. H„ Wang C. S.: Angew. Makromol. Chau. 1997,245,125.
37. Lin L. L., Ho T. H., Wang C. S.: Polymer 1997,38, 1997.
38. Wang C. S„ Lee M. C.t Polym. Bull. 1998,40,623.
39. Ochi M., Yamashita K., Yoshizumi M., Shimbo .VI.: J. Appl. Polym. Sci. 1989,38,789.
40. Shiraishi T„ Motobe H., Ochi M., Nakanishi Y„ Konishi I.: Polymer 1992,33,2975.
41. Wang C. S., Berman J. R., Walker L. L., Mendoza A.: J. Appl. Polym. Sci. 1991,43,1315.
42. Pat. USA 5 360 837 (1994).
43. Pat. USA 5 298 548 (1994).
44. Pat. USA 5 567 749 (1996).
45. Pat. USA 6 358 629 (2001).
46. Zglosz. pat. USA 146 565 (2002).
47. Pat. USA 6 162 878 (2000).
48. Pat. USA 6 194491 (2001).
49. Pat. USA 6 358 629 (2002).
50. Zglosz. pat. USA 025 431 (2002).
51. Pat. USA 6 015 872 (2000).
">Google Scholar
Język Polski
English
